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	A High-Voltage (>600 V) N-Island LDMOS with Step-Doped Drift Region in Partial SOI Technology
	Hu, Yue; Wang, Hao; Du, Caixia; Ma, Miaomiao; Chan, Mansun; He, Jin; Wang, Gaofeng
刊名	IEEE Transactions on Electron Devices
	2016
卷号	63期号:5
ISSN号	0018-9383
DOI	10.1109/TED.2015.2487345
URL标识	查看原文
收录类别	EI
语种	英语
内容类型	期刊论文
URI标识	http://www.corc.org.cn/handle/1471x/4211215
专题	武汉大学
推荐引用方式 GB/T 7714	Hu, Yue,Wang, Hao,Du, Caixia,et al. A High-Voltage (>600 V) N-Island LDMOS with Step-Doped Drift Region in Partial SOI Technology[J]. IEEE Transactions on Electron Devices,2016,63(5).
APA	Hu, Yue.,Wang, Hao.,Du, Caixia.,Ma, Miaomiao.,Chan, Mansun.,...&Wang, Gaofeng.(2016).A High-Voltage (>600 V) N-Island LDMOS with Step-Doped Drift Region in Partial SOI Technology.IEEE Transactions on Electron Devices,63(5).
MLA	Hu, Yue,et al."A High-Voltage (>600 V) N-Island LDMOS with Step-Doped Drift Region in Partial SOI Technology".IEEE Transactions on Electron Devices 63.5(2016).

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