| 自洽LMTO-ASA方法计算插层化合物MTiS2（M=Li,Fe）电子结构（英文） | |
| 冯先意; 钟列平 | |
| 刊名 | 固体电子学研究与进展
 |
| 1989 | |
| 期号 | 04 |
| ISSN号 | 1000-3819 |
| URL标识 | 查看原文 |
| 收录类别 | CNKI |
| 语种 | 中文 |
| 内容类型 | 期刊论文 |
| URI标识 | http://www.corc.org.cn/handle/1471x/4188607 |
| 专题 | 武汉大学 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 冯先意,钟列平. 自洽LMTO-ASA方法计算插层化合物MTiS2（M=Li,Fe）电子结构（英文）[J]. 固体电子学研究与进展,1989(04). |
| APA | 冯先意,&钟列平.(1989).自洽LMTO-ASA方法计算插层化合物MTiS2（M=Li,Fe）电子结构（英文）.固体电子学研究与进展(04). |
| MLA | 冯先意,et al."自洽LMTO-ASA方法计算插层化合物MTiS2（M=Li,Fe）电子结构（英文）".固体电子学研究与进展 .04(1989). |
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