Positron annihilation studies of defect properties in semi-insulating GaAs | |
Chen, Z.Q.; Hu, X.W.; Wang, S.J. | |
刊名 | Physica Status Solidi (A) Applied Research
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1996 | |
卷号 | 156期号:2 |
ISSN号 | 0031-8965 |
URL标识 | 查看原文 |
收录类别 | EI |
语种 | 英语 |
内容类型 | 期刊论文 |
URI标识 | http://www.corc.org.cn/handle/1471x/4164268 |
专题 | 武汉大学 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | Chen, Z.Q.,Hu, X.W.,Wang, S.J.. Positron annihilation studies of defect properties in semi-insulating GaAs[J]. Physica Status Solidi (A) Applied Research,1996,156(2). |
APA | Chen, Z.Q.,Hu, X.W.,&Wang, S.J..(1996).Positron annihilation studies of defect properties in semi-insulating GaAs.Physica Status Solidi (A) Applied Research,156(2). |
MLA | Chen, Z.Q.,et al."Positron annihilation studies of defect properties in semi-insulating GaAs".Physica Status Solidi (A) Applied Research 156.2(1996). |
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