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	Positron annihilation study of defects in high energy heavy ion implanted III-V compound semiconductors
	Chen, Z.Q.; Ma, L.; Wang, Z.; Zhu, J.; Hu, X.W.; Wang, S.J.
刊名	Materials Science Forum
	1997
卷号	255-257
ISSN号	0255-5476
URL标识	查看原文
收录类别	EI
语种	英语
内容类型	期刊论文
URI标识	http://www.corc.org.cn/handle/1471x/4162339
专题	武汉大学
推荐引用方式 GB/T 7714	Chen, Z.Q.,Ma, L.,Wang, Z.,et al. Positron annihilation study of defects in high energy heavy ion implanted III-V compound semiconductors[J]. Materials Science Forum,1997,255-257.
APA	Chen, Z.Q.,Ma, L.,Wang, Z.,Zhu, J.,Hu, X.W.,&Wang, S.J..(1997).Positron annihilation study of defects in high energy heavy ion implanted III-V compound semiconductors.Materials Science Forum,255-257.
MLA	Chen, Z.Q.,et al."Positron annihilation study of defects in high energy heavy ion implanted III-V compound semiconductors".Materials Science Forum 255-257(1997).

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