Positron annihilation study of defects in high energy heavy ion implanted III-V compound semiconductors | |
Chen, Z.Q.; Ma, L.; Wang, Z.; Zhu, J.; Hu, X.W.; Wang, S.J. | |
刊名 | Materials Science Forum
![]() |
1997 | |
卷号 | 255-257 |
ISSN号 | 0255-5476 |
URL标识 | 查看原文 |
收录类别 | EI |
语种 | 英语 |
内容类型 | 期刊论文 |
URI标识 | http://www.corc.org.cn/handle/1471x/4162339 |
专题 | 武汉大学 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | Chen, Z.Q.,Ma, L.,Wang, Z.,et al. Positron annihilation study of defects in high energy heavy ion implanted III-V compound semiconductors[J]. Materials Science Forum,1997,255-257. |
APA | Chen, Z.Q.,Ma, L.,Wang, Z.,Zhu, J.,Hu, X.W.,&Wang, S.J..(1997).Positron annihilation study of defects in high energy heavy ion implanted III-V compound semiconductors.Materials Science Forum,255-257. |
MLA | Chen, Z.Q.,et al."Positron annihilation study of defects in high energy heavy ion implanted III-V compound semiconductors".Materials Science Forum 255-257(1997). |
个性服务 |
查看访问统计 |
相关权益政策 |
暂无数据 |
收藏/分享 |
除非特别说明,本系统中所有内容都受版权保护,并保留所有权利。
修改评论