A D-Band Amplifier in 65 nm Bulk CMOS for Short-Distance Data Center Communication | |
Luo, Jiang; He, Jin; Feng, Guangyin; Apriyana, Alit; Fang, Ya; Xue, Zhe; Huang, Qijun; Yu, Hao | |
刊名 | IEEE ACCESS |
2018 | |
卷号 | 6 |
关键词 | CMOS millimeter-wave (mm-wave) broadband amplifiers bandwidth extension T-type network pole-tuning |
ISSN号 | 2169-3536 |
DOI | 10.1109/ACCESS.2018.2871047 |
URL标识 | 查看原文 |
收录类别 | SCIE ; EI |
语种 | 英语 |
内容类型 | 期刊论文 |
URI标识 | http://www.corc.org.cn/handle/1471x/4156448 |
专题 | 武汉大学 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | Luo, Jiang,He, Jin,Feng, Guangyin,et al. A D-Band Amplifier in 65 nm Bulk CMOS for Short-Distance Data Center Communication[J]. IEEE ACCESS,2018,6. |
APA | Luo, Jiang.,He, Jin.,Feng, Guangyin.,Apriyana, Alit.,Fang, Ya.,...&Yu, Hao.(2018).A D-Band Amplifier in 65 nm Bulk CMOS for Short-Distance Data Center Communication.IEEE ACCESS,6. |
MLA | Luo, Jiang,et al."A D-Band Amplifier in 65 nm Bulk CMOS for Short-Distance Data Center Communication".IEEE ACCESS 6(2018). |
个性服务 |
查看访问统计 |
相关权益政策 |
暂无数据 |
收藏/分享 |
除非特别说明,本系统中所有内容都受版权保护,并保留所有权利。
修改评论