一种基于碳化硅IGBT的可控型直流偏磁抑制方法 | |
刘晨蕾; 潘卓洪; 文习山; 蓝磊; 马静; 杨娜 | |
刊名 | 电力科学与技术学报 |
2019 | |
期号 | 01 |
关键词 | 高压直流输电 直流偏磁 抑制 SiC IGBT MATLAB/Simulink |
ISSN号 | 1673-9140 |
DOI | 10.19781/j.issn.1673-9140.2019.01.009 |
URL标识 | 查看原文 |
收录类别 | CNKI |
语种 | 中文 |
内容类型 | 期刊论文 |
URI标识 | http://www.corc.org.cn/handle/1471x/4145107 |
专题 | 武汉大学 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 刘晨蕾,潘卓洪,文习山,等. 一种基于碳化硅IGBT的可控型直流偏磁抑制方法[J]. 电力科学与技术学报,2019(01). |
APA | 刘晨蕾,潘卓洪,文习山,蓝磊,马静,&杨娜.(2019).一种基于碳化硅IGBT的可控型直流偏磁抑制方法.电力科学与技术学报(01). |
MLA | 刘晨蕾,et al."一种基于碳化硅IGBT的可控型直流偏磁抑制方法".电力科学与技术学报 .01(2019). |
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