CORC  > 武汉大学
一种基于碳化硅IGBT的可控型直流偏磁抑制方法
刘晨蕾; 潘卓洪; 文习山; 蓝磊; 马静; 杨娜
刊名电力科学与技术学报
2019
期号01
关键词高压直流输电 直流偏磁 抑制 SiC IGBT MATLAB/Simulink
ISSN号1673-9140
DOI10.19781/j.issn.1673-9140.2019.01.009
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收录类别CNKI
语种中文
内容类型期刊论文
URI标识http://www.corc.org.cn/handle/1471x/4145107
专题武汉大学
推荐引用方式
GB/T 7714
刘晨蕾,潘卓洪,文习山,等. 一种基于碳化硅IGBT的可控型直流偏磁抑制方法[J]. 电力科学与技术学报,2019(01).
APA 刘晨蕾,潘卓洪,文习山,蓝磊,马静,&杨娜.(2019).一种基于碳化硅IGBT的可控型直流偏磁抑制方法.电力科学与技术学报(01).
MLA 刘晨蕾,et al."一种基于碳化硅IGBT的可控型直流偏磁抑制方法".电力科学与技术学报 .01(2019).
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