| 间接耦合光电探测结构的光致负阻特性 | |
| 何民才; 钟哲; 陈炳若; 黄启俊; 陈畅生; 龙理; 杨恢东; 蔡本兰 | |
| 刊名 | Chinese Journal of Semiconductors
 |
| 1991 | |
| 期号 | 10 |
| ISSN号 | 0253-4177 |
| URL标识 | 查看原文 |
| 收录类别 | CNKI |
| 语种 | 中文 |
| 内容类型 | 期刊论文 |
| URI标识 | http://www.corc.org.cn/handle/1471x/4128460 |
| 专题 | 武汉大学 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 何民才,钟哲,陈炳若,等. 间接耦合光电探测结构的光致负阻特性[J]. Chinese Journal of Semiconductors,1991(10). |
| APA | 何民才.,钟哲.,陈炳若.,黄启俊.,陈畅生.,...&蔡本兰.(1991).间接耦合光电探测结构的光致负阻特性.Chinese Journal of Semiconductors(10). |
| MLA | 何民才,et al."间接耦合光电探测结构的光致负阻特性".Chinese Journal of Semiconductors .10(1991). |
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