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	Off-state electrical breakdown of AlGaN/GaN/Ga(Al)N HEMT heterostructure grown on Si(111)
	Li, Shuiming; Zhou, Yu; Gao, Hongwei; Dai, Shujun; Yu, Guohao; Sun, Qian; Cai, Yong; Zhang, Baoshun; Liu, Sheng; Yang, Hui
刊名	AIP ADVANCES
	2016
卷号	6期号:3
ISSN号	2158-3226
DOI	10.1063/1.4944483
URL标识	查看原文
收录类别	SCIE
语种	英语
内容类型	期刊论文
URI标识	http://www.corc.org.cn/handle/1471x/4097184
专题	武汉大学
推荐引用方式 GB/T 7714	Li, Shuiming,Zhou, Yu,Gao, Hongwei,et al. Off-state electrical breakdown of AlGaN/GaN/Ga(Al)N HEMT heterostructure grown on Si(111)[J]. AIP ADVANCES,2016,6(3).
APA	Li, Shuiming.,Zhou, Yu.,Gao, Hongwei.,Dai, Shujun.,Yu, Guohao.,...&Yang, Hui.(2016).Off-state electrical breakdown of AlGaN/GaN/Ga(Al)N HEMT heterostructure grown on Si(111).AIP ADVANCES,6(3).
MLA	Li, Shuiming,et al."Off-state electrical breakdown of AlGaN/GaN/Ga(Al)N HEMT heterostructure grown on Si(111)".AIP ADVANCES 6.3(2016).

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