Fe—3%Si 单晶体裂纹尖端位错行为及氢效应的 TEM 动态观察~*

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	Fe—3%Si 单晶体裂纹尖端位错行为及氢效应的 TEM 动态观察~*
	隋国鑫,徐永波,周敬,哈宽富,王中光
刊名	材料科学进展
	1991-08-29
期号	4 页码:308-314
关键词	位错无位错区局部应力强度因子氢脆塑性
中文摘要	在透射电镜中对 Fe-3%Si 单晶体薄膜进行拉伸试验,观察了在受力状态下裂纹尖端的位错行为及固溶氢的影响。结果表明,在受力时裂尖会自动发射位错。位错一旦从裂尖发射,便很快离开裂纹尖端以反塞积群形式存在于塑性区中。在裂纹尖端与塑性区之间存在一无位错区(DFZ)。裂纹扩展包括裂尖发射位错的塑性过程以及 DFZ 解理的脆性过程。固溶的氢改变了裂纹尖端的位错分布,促进了位错从裂尖发射,致使 DFZ 的长度减小甚至消失。
公开日期	2012-04-12
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/28936]
专题	金属研究所_中国科学院金属研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	隋国鑫,徐永波,周敬,哈宽富,王中光. Fe—3%Si 单晶体裂纹尖端位错行为及氢效应的 TEM 动态观察~*[J]. 材料科学进展,1991(4):308-314.
APA	隋国鑫,徐永波,周敬,哈宽富,王中光.(1991).Fe—3%Si 单晶体裂纹尖端位错行为及氢效应的 TEM 动态观察~*.材料科学进展(4),308-314.
MLA	隋国鑫,徐永波,周敬,哈宽富,王中光."Fe—3%Si 单晶体裂纹尖端位错行为及氢效应的 TEM 动态观察~*".材料科学进展 .4(1991):308-314.