内氧化AgCu合金中的四面体堆垛层错 | |
彭晓,平德海,陈全芳,李铁藩,吴维 | |
刊名 | 电子显微学报
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1994-12-25 | |
期号 | 6页码:498 |
关键词 | 内氧化:6974 AgCu合金:5753 四面体堆垛层错:3121 显微结构:1717 中国科学院:1391 金属腐蚀与防护:973 开放研究实验室:949 金属物理学:915 均匀形核:687 金属研究所:675 |
中文摘要 | 内氧化AgCu合金中的四面体堆垛层错彭晓,平德海,陈全芳,李铁藩,吴维(中国科学院金属腐蚀与防护研究所腐蚀科学开放研究室,沈阳110015)(中国科学院金属研究所固体原子像开放研究实验室)内氧化银合金是一种重要的电器材料。内氧化银颗粒的形核生长过程如... |
公开日期 | 2012-04-12 |
内容类型 | 期刊论文 |
源URL | [http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/28309] ![]() |
专题 | 金属研究所_中国科学院金属研究所 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 彭晓,平德海,陈全芳,李铁藩,吴维. 内氧化AgCu合金中的四面体堆垛层错[J]. 电子显微学报,1994(6):498. |
APA | 彭晓,平德海,陈全芳,李铁藩,吴维.(1994).内氧化AgCu合金中的四面体堆垛层错.电子显微学报(6),498. |
MLA | 彭晓,平德海,陈全芳,李铁藩,吴维."内氧化AgCu合金中的四面体堆垛层错".电子显微学报 .6(1994):498. |
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