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TiAl基两相合金热形变诱导形成T(Q)型孪晶与α_2薄片的TEM研究
张立春,王金国,陈国良,叶恒强
刊名中国有色金属学报
1997-12-30
期号4页码:91-96
关键词TiAl合金 α_2/γ相界面 热形变诱导
中文摘要利用常规和高分辨电镜(HREM),研究了热形变诱导的Ti45Al8Nb2.5Mn0.05B合金中偏离严格取向关系的α2/γ片层界面结构,以及横过片层的T(Q)型γ孪晶与α2(Q)薄层优先在这些偏离严格取向关系的α2/γ片层界面上形成的机理。由于其片层界面上较大的应力集中,通过界面上的复杂位错核心反应将导致这些T(Q)型γ孪晶与α2(Q)薄层的产生。
公开日期2012-04-12
内容类型期刊论文
源URL[http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/27769]  
专题金属研究所_中国科学院金属研究所
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GB/T 7714
张立春,王金国,陈国良,叶恒强. TiAl基两相合金热形变诱导形成T(Q)型孪晶与α_2薄片的TEM研究[J]. 中国有色金属学报,1997(4):91-96.
APA 张立春,王金国,陈国良,叶恒强.(1997).TiAl基两相合金热形变诱导形成T(Q)型孪晶与α_2薄片的TEM研究.中国有色金属学报(4),91-96.
MLA 张立春,王金国,陈国良,叶恒强."TiAl基两相合金热形变诱导形成T(Q)型孪晶与α_2薄片的TEM研究".中国有色金属学报 .4(1997):91-96.
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