TiC对C-SiC-B_4C复合材料氧化行为的影响

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	TiC对C-SiC-B_4C复合材料氧化行为的影响
	张伟刚,成会明,沈祖洪,周本濂
刊名	新型碳材料
	1998-03-30
期号	1 页码:14-19
关键词	陶／碳复合材料自我保护非等温氧化
中文摘要	研究了ＴｉＣ的添加对Ｃ－ＳｉＣ－Ｂ４Ｃ复合材料氧化行为的影响，实验发现１５７３Ｋ处理的Ｃ－ＳｉＣ－Ｂ４Ｃ复合材料的抗氧化性能优于未加ＴｉＣ的复合材料，氧化失重随着ＴｉＣ添加量的增大而减小；更高温度处理的Ｃ－ＳｉＣ－Ｂ４Ｃ复合材料在低温氧化时表现为少量增重，１１００Ｋ以下基本无失重，而高温氧化速率则有所增加，特别是２６７３Ｋ处理的复合材料的最终氧化失重是１５７３Ｋ处理复合材料失重的６倍，失重主要发生在１２００～１４００Ｋ。Ｘ射线衍射发现，高温处理使复合材料中的Ｂ４Ｃ与ＴｉＣ发生反应生成ＴｉＢ２，减缓了Ｂ４Ｃ的氧化速率，使之在１１００～１４００Ｋ不能产生足够的液相Ｂ２Ｏ３，没有起到有效封闭炭材料裸露面而阻止氧的扩散的作用。１４００Ｋ以上的氧化失重速率受热处理温度的影响不大，主要是由于生成的ＴｉＢ２大量氧化，生成Ｂ２Ｏ３液相，以及ＳｉＣ大量氧化生成ＳｉＯ２，从而对复合材料起到保护作用。ＳＥＭ形貌观察与上述结论一致。
公开日期	2012-04-12
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/27723]
专题	金属研究所_中国科学院金属研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	张伟刚,成会明,沈祖洪,周本濂. TiC对C-SiC-B_4C复合材料氧化行为的影响[J]. 新型碳材料,1998(1):14-19.
APA	张伟刚,成会明,沈祖洪,周本濂.(1998).TiC对C-SiC-B_4C复合材料氧化行为的影响.新型碳材料(1),14-19.
MLA	张伟刚,成会明,沈祖洪,周本濂."TiC对C-SiC-B_4C复合材料氧化行为的影响".新型碳材料 .1(1998):14-19.