球磨诱导6H-SiC→3C-SiC转变的HREM观察

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	球磨诱导6H-SiC→3C-SiC转变的HREM观察
	杨晓云,石广元,黄和鸾,吴玉琨
刊名	电子显微学报
	1998-10-25
期号	5 页码:95-96
关键词	6H-SiC:5527 3C-SiC:5322 球磨条件:4266 不全位错:3557 高分辨像:1947 HREM:1475 堆垛序:1329 长程有序:1225 微观结构:756 多型体:672
中文摘要	ＳｉＣ是典型的多型化合物，其多型体的生长规律及相互转变规律一直是材料科学工作者关注的问题。Ｐｉｒｏｕｚ等［１］报道了压痕压缩诱导６Ｈ－ＳｉＣ→３Ｃ－ＳｉＣ的转变，其转变温度在１０００℃以上。本文报道了在远低于１０００℃的室温球磨条件下６Ｈ－ＳｉＣ→３...
公开日期	2012-04-12
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/27601]
专题	金属研究所_中国科学院金属研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	杨晓云,石广元,黄和鸾,吴玉琨. 球磨诱导6H-SiC→3C-SiC转变的HREM观察[J]. 电子显微学报,1998(5):95-96.
APA	杨晓云,石广元,黄和鸾,吴玉琨.(1998).球磨诱导6H-SiC→3C-SiC转变的HREM观察.电子显微学报(5),95-96.
MLA	杨晓云,石广元,黄和鸾,吴玉琨."球磨诱导6H-SiC→3C-SiC转变的HREM观察".电子显微学报 .5(1998):95-96.