气相沉积生长单壁纳米碳管束

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	气相沉积生长单壁纳米碳管束
	李峰,戴贵平,白朔,苏革,贺连龙,成会明
刊名	材料研究学报
	2001-10-25
期号	5 页码:520-524
关键词	单壁纳米碳管束气相生长生长机理
中文摘要	采用流动催化热解碳氢化合物方法制备出具有一定取向的单壁纳米碳管束．研究了单壁纳十碳管束的生长过程，发现单壁纳米碳管的生长过程是在气流飘浮单个催化剂颗粒中完成，这与热解碳氢化合物制备定向的多壁纳米碳管在基体催化剂上生长过程有所不同．根据单壁纳米碳管生长过程，推测出单壁纳米碳管束生长速度的数量级为１０~（－５）ｍ／ｓ．
公开日期	2012-04-12
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/26795]
专题	金属研究所_中国科学院金属研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	李峰,戴贵平,白朔,苏革,贺连龙,成会明. 气相沉积生长单壁纳米碳管束[J]. 材料研究学报,2001(5):520-524.
APA	李峰,戴贵平,白朔,苏革,贺连龙,成会明.(2001).气相沉积生长单壁纳米碳管束.材料研究学报(5),520-524.
MLA	李峰,戴贵平,白朔,苏革,贺连龙,成会明."气相沉积生长单壁纳米碳管束".材料研究学报 .5(2001):520-524.