用正电子湮没技术研究不同化学成分的二元TiAl合金中的微观缺陷

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	用正电子湮没技术研究不同化学成分的二元TiAl合金中的微观缺陷
	邓文,钟夏平,黄宇阳,熊良钺,曹名洲,龙期威
刊名	核技术
	2002-08-10
期号	8 页码:573-577
关键词	正电子寿命电子密度微观缺陷力学性能
中文摘要	测量了铝含量从 4 7at%到 5 3at%的二元TiAl合金的正电子寿命谱。结果表明 :所有测试合金晶界缺陷的开空间均大于金属Al单空位的开空间。富Al的TiAl合金 ,其晶界缺陷的开空间随Al含量的增加而增大 ;晶界处的电子密度随Al含量的增加而降低。富Ti的TiAl合金 ,随着Ti含量的增加 ,其晶界 (或相界 )缺陷的开空间减小 ,晶界处的电子密度增高 ,使得晶界结合力增强。富Ti的TiAl合金中形成了α2 (Ti3Al) +γ(TiAl)层状结构双相组织使相界面增多 ,导致正电子陷阱数增加。讨论了合金的微观结构对其力学性能的影响。
公开日期	2012-04-12
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/26456]
专题	金属研究所_中国科学院金属研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	邓文,钟夏平,黄宇阳,熊良钺,曹名洲,龙期威. 用正电子湮没技术研究不同化学成分的二元TiAl合金中的微观缺陷[J]. 核技术,2002(8):573-577.
APA	邓文,钟夏平,黄宇阳,熊良钺,曹名洲,龙期威.(2002).用正电子湮没技术研究不同化学成分的二元TiAl合金中的微观缺陷.核技术(8),573-577.
MLA	邓文,钟夏平,黄宇阳,熊良钺,曹名洲,龙期威."用正电子湮没技术研究不同化学成分的二元TiAl合金中的微观缺陷".核技术 .8(2002):573-577.