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	C/L-band emission of InAs QDs monolithically grown on Ge substrate
	Wei, Wen-Qi; Wang, Jian-Huan; Gong, Yue; Shi, Jin-An; Gu, Lin; Xu, Hong-Xing; Wang, Ting; Zhang, Jian-Jun
刊名	OPTICAL MATERIALS EXPRESS
	2017
卷号	7期号:8
ISSN号	2159-3930
DOI	10.1364/OME.7.002955
URL标识	查看原文
收录类别	SCIE ; EI
语种	英语
内容类型	期刊论文
URI标识	http://www.corc.org.cn/handle/1471x/4048097
专题	武汉大学
推荐引用方式 GB/T 7714	Wei, Wen-Qi,Wang, Jian-Huan,Gong, Yue,et al. C/L-band emission of InAs QDs monolithically grown on Ge substrate[J]. OPTICAL MATERIALS EXPRESS,2017,7(8).
APA	Wei, Wen-Qi.,Wang, Jian-Huan.,Gong, Yue.,Shi, Jin-An.,Gu, Lin.,...&Zhang, Jian-Jun.(2017).C/L-band emission of InAs QDs monolithically grown on Ge substrate.OPTICAL MATERIALS EXPRESS,7(8).
MLA	Wei, Wen-Qi,et al."C/L-band emission of InAs QDs monolithically grown on Ge substrate".OPTICAL MATERIALS EXPRESS 7.8(2017).

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