Ti_3SiC_2陶瓷的能量耗散机理

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	Ti_3SiC_2陶瓷的能量耗散机理
	胡春峰,包亦望,周延春
刊名	材料研究学报
	2005-10-25
期号	5 页码:457-463
关键词	无机非金属材料层状陶瓷局部能量耗散压痕法 Ti3SiC2
中文摘要	采用维氏和赫兹压痕法研究了Ti3SiC2接触损伤及其演变.结果表明,在维氏压痕接触损伤区从表面到纵深的不同损伤排序为:表面的晶粒粉碎,亚表面的晶粒分层或破碎,再远处的晶粒完好;在赫兹压痕接触损伤区剪切损伤带以内的晶粒破碎,剪切带以外的晶粒完好.因此,造成压痕处的局部能量耗散,使应力传递受限、应力集中下降,使这种三元层状陶瓷具有准塑性特征.用声发射(AcousticEmission,简称AE)系统监测赫兹压痕加卸载过程中的局部损伤过程,发现在加载过程中声发射信号密集,卸载过程声发射信号稀疏,证明了损伤和局部能量耗散的不可逆性.Ti3SiC2陶瓷的能量局部耗散机理是弱晶界面开裂和晶粒分层导致的局部软化和破碎,在损伤区范围内吸收能量并使局部应力释放.
公开日期	2012-04-12
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/25237]
专题	金属研究所_中国科学院金属研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	胡春峰,包亦望,周延春. Ti_3SiC_2陶瓷的能量耗散机理[J]. 材料研究学报,2005(5):457-463.
APA	胡春峰,包亦望,周延春.(2005).Ti_3SiC_2陶瓷的能量耗散机理.材料研究学报(5),457-463.
MLA	胡春峰,包亦望,周延春."Ti_3SiC_2陶瓷的能量耗散机理".材料研究学报 .5(2005):457-463.