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NiTi形状记忆合金相变过程的正电子湮没研究
邓文 ; 胡益丰 ; 岳丽 ; 郝文博 ; 黄乐 ; 黄宇阳 ; 熊良钺
刊名低温物理学报
2006-08-30
期号3页码:236-241
关键词NiTi合金 微观缺陷 电子密度 马氏体相变 正电子湮没
中文摘要采用正电子湮没技术研究了NiTi合金在降温和升温过程中缺陷和电子密度随温度的变化.在降温过程中,当温度从295K降至225K时,合金的电子密度nb随温度的降低而下降,在225K时降至最小;随后,nb随温度的降低而升高.当温度从295K降至221K时,合金缺陷的开空间随温度的下降而升高,在221K时达到最大值;随后,缺陷的开空间随温度的下降而下降.在升温过程中,当温度从25K升至253K时,合金的电子密度nb随温度的升高而降低,并在253K时达到最小;当温度从253K升至295K时,合金电子密度nb随温度的升高而升高.在相变临界温度点Ms=222K,Mf=197.2K,As=237.5K,Af=255.5K附近,合金的电子密度nb及合金缺陷的开空间均有异常的变化.
公开日期2012-04-12
内容类型期刊论文
源URL[http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/24966]  
专题金属研究所_中国科学院金属研究所
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GB/T 7714
邓文,胡益丰,岳丽,等. NiTi形状记忆合金相变过程的正电子湮没研究[J]. 低温物理学报,2006(3):236-241.
APA 邓文.,胡益丰.,岳丽.,郝文博.,黄乐.,...&熊良钺.(2006).NiTi形状记忆合金相变过程的正电子湮没研究.低温物理学报(3),236-241.
MLA 邓文,et al."NiTi形状记忆合金相变过程的正电子湮没研究".低温物理学报 .3(2006):236-241.
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