BaHfO_3：Ce纳米材料的制备及光谱特性

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	BaHfO_3：Ce纳米材料的制备及光谱特性
	刘晶 ; 马伟民 ; 闻雷 ; 李喜坤 ; 沈世妃 ; 郭易芬
刊名	金属学报
	2008-03-11
期号	3 页码:381-384
关键词	闪烁体 BaHfO_3：Ce 纳米粉体共沉淀法光谱特性
中文摘要	用湿化学共沉淀法制备了掺杂Ce的BaHfO_3纳米粉体,采用XRD,TEM及TG-DTA等手段分析了粉体合成过程的物相变化及特性;用荧光光度计分析了样品的激发光谱和发射光谱.结果表明:先驱沉淀物经1000℃煅烧2 h,合成出多边形貌、分散性良好、粒径尺寸为30—50 nm的BaHfO_3:Ce纳米粉体.掺杂Ce浓度(摩尔分数)为0.3%的BaHfO_3的谱峰相对强度最高,其激发光谱在393和445 nm处出现2个激发峰.393 nm波长激发的发射光谱主要由两个光谱带组成,其峰值分别位于485和530 nm波长处;用445 nm波长激发时,483 nm附近的峰已不明显,只在529 nm有一个较宽的发射峰.BaHfO_3:Ce的发光特性由激活Ce~(3+)的5d→~2F_(5/2)和5d→~2F_(7/2)宽带跃迁产生,其激发光谱和发射光潜均为宽带谱.
公开日期	2012-04-12
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/24477]
专题	金属研究所_中国科学院金属研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	刘晶,马伟民,闻雷,等. BaHfO_3：Ce纳米材料的制备及光谱特性[J]. 金属学报,2008(3):381-384.
APA	刘晶,马伟民,闻雷,李喜坤,沈世妃,&郭易芬.(2008).BaHfO_3：Ce纳米材料的制备及光谱特性.金属学报(3),381-384.
MLA	刘晶,et al."BaHfO_3：Ce纳米材料的制备及光谱特性".金属学报 .3(2008):381-384.