在稀硫酸中添加硫脲对块体纳米晶纯铁腐蚀行为的影响

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	在稀硫酸中添加硫脲对块体纳米晶纯铁腐蚀行为的影响
	沈长斌 ; 杨怀玉 ; 王胜刚 ; 龙康 ; 王福会
刊名	材料研究学报
	2008-12-25
期号	6 页码:611-614
关键词	材料失效与保护块体纳米晶工业纯铁(BNII) 硫脲(TU) 脱附现象
中文摘要	研究了在稀硫酸溶液中添加硫脲(TU)对块体纳米晶工业纯铁(BNII)室温电化学腐蚀行为的影响,并与普通工业纯铁(CPII)的室温电化学腐蚀行为进行了比较.结果表明:将CPII在添加TU的稀硫酸溶液中浸泡5 min,其电化学阻抗(EIS)谱图中出现感抗弧.随着浸泡时间的延长,CPII的EIS谱图表现为一非圆心下偏的半圆;而在相同的条件下,BNII的EIS谱图表现为两个时间常数的容抗弧,表明硫脲对其腐蚀行为有促进作用.动电位极化(PDP)测试结果表明,两种材料的样品均出现阳极脱附现象.
公开日期	2012-04-12
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/24244]
专题	金属研究所_中国科学院金属研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	沈长斌,杨怀玉,王胜刚,等. 在稀硫酸中添加硫脲对块体纳米晶纯铁腐蚀行为的影响[J]. 材料研究学报,2008(6):611-614.
APA	沈长斌,杨怀玉,王胜刚,龙康,&王福会.(2008).在稀硫酸中添加硫脲对块体纳米晶纯铁腐蚀行为的影响.材料研究学报(6),611-614.
MLA	沈长斌,et al."在稀硫酸中添加硫脲对块体纳米晶纯铁腐蚀行为的影响".材料研究学报 .6(2008):611-614.