中频反应磁控溅射制备Al_2O_3:CeCl_3薄膜及其光致发光特性

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	中频反应磁控溅射制备Al_2O_3:CeCl_3薄膜及其光致发光特性
	廖国进 ; 骆红 ; 闫绍峰 ; 巴德纯 ; 闻立时
刊名	稀有金属材料与工程
	2009-04-15
期号	4 页码:700-704
关键词	光致发光 Al2O3 薄膜磁控溅射 CeCl3
中文摘要	应用中频反应磁控溅射技术制备了Al2O3:CeCl3的非晶薄膜。Ce3+含量和薄膜的化学成分通过X射线散射能谱(EDS)测量。薄膜试样的晶体结构用X射线衍射分析。俄歇电子谱用于对薄膜材料的化学组分进行定性分析。薄膜的光致发光峰是在370 nm到405 nm范围内,它们来自于Ce3+离子的5d1激发态向基态4f1的两个劈裂能级的跃迁。发光强度强烈地依赖于薄膜中的掺杂浓度和沉积时的基片温度。薄膜发光来自于氯化铈分子中的发光中心,而不是其他的掺杂Ce3+离子。随铈含量增加,光致发光峰向低能方向移动,可能与薄膜中存在氯元素有关。
公开日期	2012-04-12
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/24141]
专题	金属研究所_中国科学院金属研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	廖国进,骆红,闫绍峰,等. 中频反应磁控溅射制备Al_2O_3:CeCl_3薄膜及其光致发光特性[J]. 稀有金属材料与工程,2009(4):700-704.
APA	廖国进,骆红,闫绍峰,巴德纯,&闻立时.(2009).中频反应磁控溅射制备Al_2O_3:CeCl_3薄膜及其光致发光特性.稀有金属材料与工程(4),700-704.
MLA	廖国进,et al."中频反应磁控溅射制备Al_2O_3:CeCl_3薄膜及其光致发光特性".稀有金属材料与工程 .4(2009):700-704.