交变方波电源参数对镁合金AZ91D微弧氧化的影响

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	交变方波电源参数对镁合金AZ91D微弧氧化的影响
	常林荣 ; 曹发和 ; 蔡景顺 ; 刘文娟 ; 张昭 ; 张鉴清
刊名	Transactions of Nonferrous Metals Society of China
	2011-02-15
期号	2 页码:307-316
关键词	AZ91D 微弧氧化交变方波占空比电压频率
中文摘要	在碱性硼酸盐体系中,使用新型的交变方波电源在镁合金AZ91D上制备微弧氧化膜。用正交实验法研究电压、频率和占空比等电源参数对微弧氧化膜性能的影响。结果表明:微弧氧化膜的厚度随电压和占空比的升高而增厚,但随频率的升高而减薄。氧化膜的结构和形貌随电源参数的变化而变化,氧化膜上的孔隙和裂缝会随着电压和占空比的升高而增多。当电压低于120V时,只能得到薄而透明的氧化膜,氧化膜的主要成分为MgO,Al2O3,MgAl2O4和MgSiO3。在3.5%氯化钠溶液中,采用电化学阻抗谱和极化曲线检测了氧化膜的耐腐蚀性。结果表明,当电压、频率和占空比分别为140V,2000Hz和0.4时,微弧氧化膜的耐腐蚀性最好。
公开日期	2012-04-12
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/23537]
专题	金属研究所_中国科学院金属研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	常林荣,曹发和,蔡景顺,等. 交变方波电源参数对镁合金AZ91D微弧氧化的影响[J]. Transactions of Nonferrous Metals Society of China,2011(2):307-316.
APA	常林荣,曹发和,蔡景顺,刘文娟,张昭,&张鉴清.(2011).交变方波电源参数对镁合金AZ91D微弧氧化的影响.Transactions of Nonferrous Metals Society of China(2),307-316.
MLA	常林荣,et al."交变方波电源参数对镁合金AZ91D微弧氧化的影响".Transactions of Nonferrous Metals Society of China .2(2011):307-316.