气相沉积硅薄膜微结构及悬挂键缺陷研究

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	气相沉积硅薄膜微结构及悬挂键缺陷研究
	黄香平 ; 肖金泉 ; 邓宏贵 ; 杜昊 ; 闻火 ; 黄荣芳 ; 闻立时
刊名	真空科学与技术学报
	2011-03-15
期号	2 页码:178-182
关键词	纳晶硅悬挂键密度电子自旋共振 Raman光谱
中文摘要	在单晶Si(100)基体上利用电子回旋共振等离子体增强化学气相沉积法制备硅薄膜,并采用X射线衍射谱(XRD)、透射电镜(TEM)、Raman光谱、电子自旋共振(ESR)波谱等实验方法研究了不同Ar流量下硅薄膜微结构及悬挂键密度的变化。XRD及TEM实验结果得出,制备的硅薄膜的晶粒尺寸为12~16 nm,属纳晶硅薄膜。薄膜结晶度随镀膜时Ar流量增大而增大,而悬挂键密度则先迅速减小而后缓慢增大。当Ar流量为70 ml/min(标准状态)时,薄膜的悬挂键密度达到最低值4.42×1016cm-3。得出最佳Ar流量值为70 ml/min。
公开日期	2012-04-12
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/23501]
专题	金属研究所_中国科学院金属研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	黄香平,肖金泉,邓宏贵,等. 气相沉积硅薄膜微结构及悬挂键缺陷研究[J]. 真空科学与技术学报,2011(2):178-182.
APA	黄香平.,肖金泉.,邓宏贵.,杜昊.,闻火.,...&闻立时.(2011).气相沉积硅薄膜微结构及悬挂键缺陷研究.真空科学与技术学报(2),178-182.
MLA	黄香平,et al."气相沉积硅薄膜微结构及悬挂键缺陷研究".真空科学与技术学报 .2(2011):178-182.