| 题名 | SiC，Si_3N_4晶须的制备方法与显微结构研究 |
| 作者 | 周延春 |
| 学位类别 | 博士 |
| 答辩日期 | 1990 |
| 授予单位 | 中国科学院金属研究所 |
| 授予地点 | 中国科学院金属研究所 |
| 导师 | 师昌绪 |
| 关键词 | SiC晶须 Si_3N_4晶须 合成 显微结构 复合材料 |
| 中文摘要 | 本文研究了 SiC，Si_3N_4晶须的制备方法并对SiC，Si_3N_4和SiC/ Si_3N_4复合晶须的显微结构进行了研究。主要涉及SiC，Si_3N_4晶须的制备工艺，SiC晶须中的缺陷，双晶SiC晶须的界面结构，SiC晶须中Fe杂质对SiCw/Al复合材料界面的影响，SiC晶须在热处理过程中的变化，Si_3N_4晶须的缺陷，双晶界面结构和分叉现象，SiC/Si_3N_4复合晶须的界面结构等。结果表明，以SiO_2和C为原料在只改变个别工艺参数的情况下，用同一方法即可以制备SiC晶须又可以制备Si_3N_4晶须。在SiC晶须中有高密度的层错，孪晶等缺陷。一维无序的SiC晶须是由不同 厚度的SiC多型体薄层构成，而竹节状的SiC晶须则由一维无序的与节β-SiC节孪生相连。β-SiC节内有平行于生长前沿的{111}层错，孪晶和不全位错等缺陷。孪晶面平行于晶须轴向的双晶SiC晶须具有{221} - {221}型的二次孪晶关系。由于两个或两个以上的生长方向（〈111〉_β）同时得到满足或形成又晶晶须使SiC昌须容易分叉。SiC晶须中的Fe 杂质在SiCw/6061Al复合材料的界面生成金属间化合物的颗粒相。在热处理过程中SiC晶须的形貌和结构都将发生变化。SiC晶须在1800 ℃以上不稳定并发生球化。这一工作从一个方面解释了制备温度对陶瓷基复合材料韧性的影响。α-Si_3N_4晶须的生长方向分别为{101-bar0}，{101-bar1}和{0001}。{101-bar0}晶须的一侧有小结晶体，{101-bar1}晶须中有大量的复合面缺陷；而{0001}晶须中有高密度的与晶须轴向垂直的面缺陷。α-Si_3N_4晶须容易分叉，其机理和SiC晶须类似。β-Si_3N_4晶须的生长方向为{101-bar0}。在β-Si_3N_4晶须中几乎观察不到任何缺陷。SiC/Si_3N_4复合晶须中SiC/Si_3N_4的界面是晶格与晶格直接匹配的，界面上无非晶层。 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-04-10 |
| 页码 | 125 |
| 内容类型 | 学位论文 |
| 源URL | [http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/17499]  |
| 专题 | 金属研究所_中国科学院金属研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 周延春. SiC，Si_3N_4晶须的制备方法与显微结构研究[D]. 中国科学院金属研究所. 中国科学院金属研究所. 1990. |
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