| 题名 | SiC晶须/Si_3N_4基复合材料的制备、显微结构和力学性能 |
| 作者 | 周延春 |
| 学位类别 | 硕士 |
| 答辩日期 | 1988 |
| 授予单位 | 中国科学院金属研究所 |
| 授予地点 | 中国科学院金属研究所 |
| 导师 | 夏羽 |
| 中文摘要 | 用二氧化硅作原料在1400 ℃惰性气体中用VLS法制备了β-SiC晶须，用透射电子显微镜对β-SiC晶须的显微结构进行了分析。在β-SiC晶须中存在着大量的{111}层错和{111}β孪晶。在层错与完整晶体的交界处观察到了Shockley，不全位错，并对分叉的晶须进行了解释。在液体介质中用沉淀法除掉了晶须中的颗粒和杂质，用湿混技术通过选择不同正电位的液体介质使SiC晶须在Si_3N_4基体中分散均匀，无团聚和晶须束。用热压法得到了致密的Si_3N_4基复合材料。用透射电子显微镜对SiC晶须/Si_3N_4基复合材料的显微结构进行了分析，在SiC晶须/Si_3N_4基体的界面上有一非晶膜，这种的界面成为裂纹扩展的路径。对SiC晶须/Si_3N_4基复合材料的力学性能进行了测试，并对增加机制进行了探讨。 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-04-10 |
| 页码 | 40 |
| 内容类型 | 学位论文 |
| 源URL | [http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/17352]  |
| 专题 | 金属研究所_中国科学院金属研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 周延春. SiC晶须/Si_3N_4基复合材料的制备、显微结构和力学性能[D]. 中国科学院金属研究所. 中国科学院金属研究所. 1988. |
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