| Co掺杂的ZnO基稀磁半导体薄膜的制备 | |
| 李博睿; 官文杰 | |
| 刊名 | 大众科技
 |
| 2010 | |
| 期号 | 8 |
| 关键词 | 稀磁半导体 ZnO 载流子浓度 |
| ISSN号 | 1008-1151 |
| URL标识 | 查看原文 |
| 收录类别 | CNKI |
| 语种 | 中文 |
| 内容类型 | 期刊论文 |
| URI标识 | http://www.corc.org.cn/handle/1471x/3961000 |
| 专题 | 武汉大学 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 李博睿,官文杰. Co掺杂的ZnO基稀磁半导体薄膜的制备[J]. 大众科技,2010(8). |
| APA | 李博睿,&官文杰.(2010).Co掺杂的ZnO基稀磁半导体薄膜的制备.大众科技(8). |
| MLA | 李博睿,et al."Co掺杂的ZnO基稀磁半导体薄膜的制备".大众科技 .8(2010). |
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