Co掺杂的ZnO基稀磁半导体薄膜的制备 | |
李博睿; 官文杰 | |
刊名 | 大众科技
![]() |
2010 | |
期号 | 8 |
关键词 | 稀磁半导体 ZnO 载流子浓度 |
ISSN号 | 1008-1151 |
URL标识 | 查看原文 |
收录类别 | CNKI |
语种 | 中文 |
内容类型 | 期刊论文 |
URI标识 | http://www.corc.org.cn/handle/1471x/3961000 |
专题 | 武汉大学 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 李博睿,官文杰. Co掺杂的ZnO基稀磁半导体薄膜的制备[J]. 大众科技,2010(8). |
APA | 李博睿,&官文杰.(2010).Co掺杂的ZnO基稀磁半导体薄膜的制备.大众科技(8). |
MLA | 李博睿,et al."Co掺杂的ZnO基稀磁半导体薄膜的制备".大众科技 .8(2010). |
个性服务 |
查看访问统计 |
相关权益政策 |
暂无数据 |
收藏/分享 |
除非特别说明,本系统中所有内容都受版权保护,并保留所有权利。
修改评论