注F~+加固CMOS/SOI材料的抗辐射研究

	注F~+加固CMOS/SOI材料的抗辐射研究
	武光明,朱江,高剑侠
刊名	电子元件与材料
	2002-02-28
期号	02
中文摘要	向SIMOX材料的SiO2埋层或Si/SiO2界面注入170 keV F+,进而制成CMOS/SOI材料,采用60Co g 辐射器辐照并测量材料的I-V特性。结果表明:向CMOS/SOI材料埋层注入F+离子,能提高CMOS/SOI材料的抗电离辐照性能。而且,注入F+的剂量为11015cm2时,材料的抗辐照能力较强。这对制作应用于电离辐射环境的COMS/SOI器件极其有益。
收录类别	CNKI
语种	中文
公开日期	2012-04-18
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.sinap.ac.cn/handle/331007/7628]
专题	上海应用物理研究所_中科院上海应用物理研究所2004-2010年
推荐引用方式 GB/T 7714	武光明,朱江,高剑侠. 注F~+加固CMOS/SOI材料的抗辐射研究[J]. 电子元件与材料,2002(02).
APA	武光明,朱江,高剑侠.(2002).注F~+加固CMOS/SOI材料的抗辐射研究.电子元件与材料(02).
MLA	武光明,朱江,高剑侠."注F~+加固CMOS/SOI材料的抗辐射研究".电子元件与材料 .02(2002).