GaAs气相掺杂外延的研究

	GaAs气相掺杂外延的研究
	彭瑞伍 ; 孙裳珠 ; 沈松华
刊名	金属学报
	1980
期号	03
关键词	生长速率:6588 表面形貌:5167 电子迁移率:3596 晶向:2241 衬底温度:1561 掺杂方法:1412 实验点:1391 文献:1376 杂质分布:1373 击穿电压:1332
ISSN号	0412-1961
中文摘要	本文用Ga-AsCl_3-H_2体系在改进的外延设备上生长了GaAs掺杂外延片.文中研究了GaAs气相掺杂过程并评价了外延层的质量.对掺杂外延时的表面形貌、生长速率、电子迁移率、击穿电压、横向浓度均匀性、纵向浓度分布、缺陷和外延重现性等参数进行了讨论.结果表明,所得外延片具有较好的质量,已用于制作微波器件,如变容管和开关管等.
语种	中文
公开日期	2012-04-19
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/107429]
专题	上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文（冶金所）
推荐引用方式 GB/T 7714	彭瑞伍,孙裳珠,沈松华. GaAs气相掺杂外延的研究[J]. 金属学报,1980(03).
APA	彭瑞伍,孙裳珠,&沈松华.(1980).GaAs气相掺杂外延的研究.金属学报(03).
MLA	彭瑞伍,et al."GaAs气相掺杂外延的研究".金属学报 .03(1980).