一种1kb相变存储芯片的设计

	一种1kb相变存储芯片的设计
	丁晟 ; 宋志棠 ; 陈后鹏 ; 蔡道林 ; 陈一峰 ; 王倩 ; 陈小刚 ; 刘波 ; 谢志峰
刊名	微电子学
	2011
期号	06
关键词	存储器相变存储器相变存储芯片
ISSN号	1004-3365
中文摘要	以中科院上海微系统与信息技术研究所自主研发的相变存储器工艺为基础,开发了一款容量为1kb、可应用于射频标签(RFID)的嵌入式相变存储芯片。该芯片以1T1R为基本单元结构,采用箝位读出方式以及电流镜式写驱动电路,成功实现了相变存储器的读写功能。测试结果显示,该芯片可重复擦写次数达到107次,在80℃条件下数据保持力达到10年,圆片(wafer)成品率达到99.9%。
语种	中文
公开日期	2012-04-13
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/107061]
专题	上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文
推荐引用方式 GB/T 7714	丁晟,宋志棠,陈后鹏,等. 一种1kb相变存储芯片的设计[J]. 微电子学,2011(06).
APA	丁晟.,宋志棠.,陈后鹏.,蔡道林.,陈一峰.,...&谢志峰.(2011).一种1kb相变存储芯片的设计.微电子学(06).
MLA	丁晟,et al."一种1kb相变存储芯片的设计".微电子学 .06(2011).