纳米梁的金硅原电池腐蚀和无损释放技术研究

	纳米梁的金硅原电池腐蚀和无损释放技术研究
	戴斌 ; 杨恒 ; 陆松涛
刊名	传感器与微系统
	2011
期号	02
关键词	氢氟酸原电池腐蚀 HF蒸气腐蚀纳米梁
ISSN号	1000-9787
中文摘要	采用金电极的硅纳米梁在通过HF湿法腐蚀S iO2牺牲层释放结构的时候会发生硅纳米梁被腐蚀现象,消除此效应对于纳米尺度梁制造非常重要。通过电化学工作站测量不同条件下金/硅在HF中的极化曲线和腐蚀电流,从定性和定量研究此腐蚀的原理和影响因素:金硅在HF中形成的原电池效应是此腐蚀的主要原因;改变金硅面积比和改变HF构成可以减缓此腐蚀。设计了一种简单可控的HF蒸气腐蚀装置彻底消除原电池腐蚀效应的影响,并实现了120 nm厚双端固支纳米梁的无损释放。
语种	中文
公开日期	2012-04-13
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/107039]
专题	上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文
推荐引用方式 GB/T 7714	戴斌,杨恒,陆松涛. 纳米梁的金硅原电池腐蚀和无损释放技术研究[J]. 传感器与微系统,2011(02).
APA	戴斌,杨恒,&陆松涛.(2011).纳米梁的金硅原电池腐蚀和无损释放技术研究.传感器与微系统(02).
MLA	戴斌,et al."纳米梁的金硅原电池腐蚀和无损释放技术研究".传感器与微系统 .02(2011).