表面粗糙化来提高SiO_2中纳米硅的拉曼强度

	表面粗糙化来提高SiO_2中纳米硅的拉曼强度
	张有为 ; 毕大炜 ; 公祥南 ; 边惠 ; 万里 ; 唐东升
刊名	中国科学:物理学力学天文学
	2011
期号	07
关键词	纳米硅拉曼散射声子限制
ISSN号	1674-7275
中文摘要	本文采用表面粗糙化的方法,在拉曼背散射配置下观察到SiO2中注入硅离子形成纳米硅的拉曼散射特征峰.运用声子限制模型对纳米硅的特征峰进行曲线拟合,得到纳米硅的平均晶粒尺寸是2.6nm.这个结果与透射电子显微镜直接观测的纳米硅尺寸非常符合.以上研究表明,表面粗糙化是一个非常有效的方法来提高拉曼散射强度,从而方便地研究纳米硅的拉曼特征,不会对纳米硅的物理性质发生影响.
语种	中文
公开日期	2012-04-13
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/106967]
专题	上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文
推荐引用方式 GB/T 7714	张有为,毕大炜,公祥南,等. 表面粗糙化来提高SiO_2中纳米硅的拉曼强度[J]. 中国科学:物理学力学天文学,2011(07).
APA	张有为,毕大炜,公祥南,边惠,万里,&唐东升.(2011).表面粗糙化来提高SiO_2中纳米硅的拉曼强度.中国科学:物理学力学天文学(07).
MLA	张有为,et al."表面粗糙化来提高SiO_2中纳米硅的拉曼强度".中国科学:物理学力学天文学 .07(2011).