脉冲激光沉积薄膜生长机制的计算机模拟研究

	脉冲激光沉积薄膜生长机制的计算机模拟研究
	岳岩 ; 霍裕昆 ; 潘正瑛
刊名	核技术
	1998
期号	06
ISSN号	0253-3219
中文摘要	建立了一个分子动力学模型以研究脉冲激光沉积金属薄膜的成膜过程，探讨激光沉积中极高的瞬时沉积率和载能粒子轰击对成模机制的影响。以能量为10eV的Cu原子入射到Cu（100）表面为例，进行了分子动力学模拟的计算。结果表明，激光成膜过程中载能粒子的瞬时高通量沉积极大地增加了外延表面的原子扩散活性，促使薄膜能在低温下以原子层尺度逐层生长。
语种	中文
公开日期	2012-03-29
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/106540]
专题	上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文（冶金所）
推荐引用方式 GB/T 7714	岳岩,霍裕昆,潘正瑛. 脉冲激光沉积薄膜生长机制的计算机模拟研究[J]. 核技术,1998(06).
APA	岳岩,霍裕昆,&潘正瑛.(1998).脉冲激光沉积薄膜生长机制的计算机模拟研究.核技术(06).
MLA	岳岩,et al."脉冲激光沉积薄膜生长机制的计算机模拟研究".核技术 .06(1998).