连续模型多弦热平均势计算沟道产额角分布

	连续模型多弦热平均势计算沟道产额角分布
	江炳尧 ; 张祖华 ; 周祖尧 ; 杨根庆 ; 邹世昌
刊名	半导体学报
	1987
期号	02
ISSN号	0253-4177
中文摘要	本文用连续近似和半路平面模型两种近似,在考虑多根原子弦的条件下(多弦近似),计算了沟道产额角分布.在计算横向能量E_1与可进入区面积A(E_⊥)的关系曲线时,本文用随机投点的方法替代 K.Sato等人的划格子的方法,以提高计算的适应性.对于1MeV He离子入射Si<110>沟道,本文用半路平面模型和多弦热平均势算得ψ_(1/2)为0.81°,这个结果比S.T.Picraux等人用单弦静态势算得的值0.89°更为接近实验值(0.75°).本文对ψ_(1/2)和x_(min)的理论值与实验值的差别以及改进理
语种	中文
公开日期	2012-03-29
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/106467]
专题	上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文（冶金所）
推荐引用方式 GB/T 7714	江炳尧,张祖华,周祖尧,等. 连续模型多弦热平均势计算沟道产额角分布[J]. 半导体学报,1987(02).
APA	江炳尧,张祖华,周祖尧,杨根庆,&邹世昌.(1987).连续模型多弦热平均势计算沟道产额角分布.半导体学报(02).
MLA	江炳尧,et al."连续模型多弦热平均势计算沟道产额角分布".半导体学报 .02(1987).