抗电子发射钼栅极的性能分析

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	抗电子发射钼栅极的性能分析
	官冲 ; 张济忠 ; 廖显恒
刊名	功能材料
	1999
期号	03
关键词	K1 钼栅极逸出功电子发射金属间化合物
ISSN号	1001-9731
其他题名	T1 抗电子发射钼栅极的性能分析
中文摘要	利用真空离子沉积技术在钼栅极的表面分别镀上一层Ｃ膜、Ａｌ膜和ＡｌＴｉＺｒ合金膜，对镀膜后的样品进行寿命试验。用ＳＥＭ和ＸＲＤ分析技术对镀膜样品受阴极活性蒸发物Ｂａ污染前、污染后进行了对比研究。实验结果表明：逸出功较低的Ａｌ在受到Ｂａ污染后，能够生成金属间化合物，从而能够有效地抑制栅极发射；而沉积的Ｃ膜在受到污染后，逐渐被消耗而失去作用；在Ａｌ中加入逸出功较高的ＴｉＺｒ合金后，破坏了金属间化合物的生成，并不能抑制栅极发射。实验说明逸出功低的Ａｌ也可涂覆到栅极上，在栅极工作过程中，当Ａｌ与阴极的蒸发物生成金属
语种	中文
公开日期	2012-03-29
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/106357]
专题	上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文（冶金所）
推荐引用方式 GB/T 7714	官冲,张济忠,廖显恒. 抗电子发射钼栅极的性能分析[J]. 功能材料,1999(03).
APA	官冲,张济忠,&廖显恒.(1999).抗电子发射钼栅极的性能分析.功能材料(03).
MLA	官冲,et al."抗电子发射钼栅极的性能分析".功能材料 .03(1999).