抗电子发射钼栅极的性能分析 | |
官冲 ; 张济忠 ; 廖显恒 | |
刊名 | 功能材料
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1999 | |
期号 | 03 |
关键词 | K1 钼栅极 逸出功 电子发射 金属间化合物 |
ISSN号 | 1001-9731 |
其他题名 | T1 抗电子发射钼栅极的性能分析 |
中文摘要 | 利用真空离子沉积技术在钼栅极的表面分别镀上一层C膜、Al膜和AlTiZr合金膜,对镀膜后的样品进行寿命试验。用SEM和XRD分析技术对镀膜样品受阴极活性蒸发物Ba污染前、污染后进行了对比研究。实验结果表明:逸出功较低的Al在受到Ba污染后,能够生成金属间化合物,从而能够有效地抑制栅极发射;而沉积的C膜在受到污染后,逐渐被消耗而失去作用;在Al中加入逸出功较高的TiZr合金后,破坏了金属间化合物的生成,并不能抑制栅极发射。实验说明逸出功低的Al也可涂覆到栅极上,在栅极工作过程中,当Al与阴极的蒸发物生成金属 |
语种 | 中文 |
公开日期 | 2012-03-29 |
内容类型 | 期刊论文 |
源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/106357] ![]() |
专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文(冶金所) |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 官冲,张济忠,廖显恒. 抗电子发射钼栅极的性能分析[J]. 功能材料,1999(03). |
APA | 官冲,张济忠,&廖显恒.(1999).抗电子发射钼栅极的性能分析.功能材料(03). |
MLA | 官冲,et al."抗电子发射钼栅极的性能分析".功能材料 .03(1999). |
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