金属薄膜的电迁移激活能 | |
武蕴忠 ; 孙承龙 | |
刊名 | 金属学报
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1981 | |
期号 | 06 |
ISSN号 | 0412-1961 |
中文摘要 | 电迁移过程中试样内非平衡缺陷的积累使电阻增大,其电阻变化率为:d(ΔR/R_0)/dt=cmj~2ρ~(3/2)Z_i~*eD_0/λ~(1/2)kT exp(-Q/kT)和d(ΔR/R_0/dt)=c_1mj~2ρ~(3/2)Z_i~*eD_0(2(T-T_e)+α(T-T_e)~2)~(1/2)/λ~(1/2)kT exp(-Q/kT) 用此二式可精确确定金属薄膜的电迁移激活能。用第一式确定的Al-3.2%Cu合金薄膜的电迁移激活能Q=0.65±0.04eV;用第二式处理Hummel的实验结果,则纯A |
语种 | 中文 |
公开日期 | 2012-03-29 |
内容类型 | 期刊论文 |
源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/106293] ![]() |
专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文(冶金所) |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 武蕴忠,孙承龙. 金属薄膜的电迁移激活能[J]. 金属学报,1981(06). |
APA | 武蕴忠,&孙承龙.(1981).金属薄膜的电迁移激活能.金属学报(06). |
MLA | 武蕴忠,et al."金属薄膜的电迁移激活能".金属学报 .06(1981). |
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