金属薄膜的电迁移激活能

	金属薄膜的电迁移激活能
	武蕴忠 ; 孙承龙
刊名	金属学报
	1981
期号	06
ISSN号	0412-1961
中文摘要	电迁移过程中试样内非平衡缺陷的积累使电阻增大,其电阻变化率为:d(ΔR/R_0)/dt=cmj~2ρ~(3/2)Z_i~eD_0/λ~(1/2)kT exp(-Q/kT)和d(ΔR/R_0/dt)=c_1mj~2ρ~(3/2)Z_i~eD_0(2(T-T_e)+α(T-T_e)~2)~(1/2)/λ~(1/2)kT exp(-Q/kT) 用此二式可精确确定金属薄膜的电迁移激活能。用第一式确定的Al-3.2%Cu合金薄膜的电迁移激活能Q=0.65±0.04eV;用第二式处理Hummel的实验结果,则纯A
语种	中文
公开日期	2012-03-29
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/106293]
专题	上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文（冶金所）
推荐引用方式 GB/T 7714	武蕴忠,孙承龙. 金属薄膜的电迁移激活能[J]. 金属学报,1981(06).
APA	武蕴忠,&孙承龙.(1981).金属薄膜的电迁移激活能.金属学报(06).
MLA	武蕴忠,et al."金属薄膜的电迁移激活能".金属学报 .06(1981).