溅射沉积无定形硅薄膜的激光外延研究

	溅射沉积无定形硅薄膜的激光外延研究
	柳襄怀 ; 林成鲁 ; 陈朝荣 ; 李天胜 ; 赵克萱 ; 徐惠定 ; 段大娟 ; 吴恒显
刊名	自然杂志
	1980
期号	11
ISSN号	0253-9608
中文摘要	<正> 用热处理方法对单晶硅上的无定形硅薄膜进行外延再生长,需要在超高真空和高温(≥1000℃)条件下才能实现.我们用激光外延可以使在10~(-6)托真空条件下溅射沉积的无定形硅薄膜,不需要衬底表面的溅射清洗和高温热分解,就能得到满意的外延层.激光外延给半导体工艺提供了一种有前途的新技术.
语种	中文
公开日期	2012-03-29
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/106251]
专题	上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文（冶金所）
推荐引用方式 GB/T 7714	柳襄怀,林成鲁,陈朝荣,等. 溅射沉积无定形硅薄膜的激光外延研究[J]. 自然杂志,1980(11).
APA	柳襄怀.,林成鲁.,陈朝荣.,李天胜.,赵克萱.,...&吴恒显.(1980).溅射沉积无定形硅薄膜的激光外延研究.自然杂志(11).
MLA	柳襄怀,et al."溅射沉积无定形硅薄膜的激光外延研究".自然杂志 .11(1980).