硅的气相淀积的滞流层效应
章熙康 ; 顾隆道 ; 王其闵
刊名中国科学(B辑 化学 生物学 农学 医学 地学)
1985
期号11
ISSN号1006-9240
中文摘要在整个硅烷分解化学淀积硅膜的试验温度范围内,都显示出滞流层效应。对数生长速率与温度倒数的曲线分为三段直线。高温区的速率控制机制是硅烷分解后的硅原子;而不是硅烷通过滞流层的扩散机制控制了生长速率。中低温区的速率控制机制是硅烷分解,而不是表面反应过程控制生长速率。速率控制机制的不同,生长速率与滞流层高度的依赖关系就不同:在中低温区生长速率与滞流层高度成正比;在高温区生长速率与滞流层高度的平方成反比。
语种中文
公开日期2012-03-29
内容类型期刊论文
源URL[http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/106058]  
专题上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文(冶金所)
推荐引用方式
GB/T 7714
章熙康,顾隆道,王其闵. 硅的气相淀积的滞流层效应[J]. 中国科学(B辑 化学 生物学 农学 医学 地学),1985(11).
APA 章熙康,顾隆道,&王其闵.(1985).硅的气相淀积的滞流层效应.中国科学(B辑 化学 生物学 农学 医学 地学)(11).
MLA 章熙康,et al."硅的气相淀积的滞流层效应".中国科学(B辑 化学 生物学 农学 医学 地学) .11(1985).
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