关于GaAs的低迁移率问题 | |
周炳林 ; 陈正秀 | |
刊名 | 物理学报
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1985 | |
期号 | 04 |
ISSN号 | 1000-3290 |
中文摘要 | 测量了5个不掺杂LPE-GaAs样品的电子迁移率温度关系,发现不同样品的诸曲线有互相交叉的现象,只用离化杂质散射一种非本征机制难于解释它。因此,假设未知散射中心(mobility killer)的存在看来是必要的。由于被研究的样品的纯度已相当高,Stringfellow等人所假设的杂质中心元胞势散射可以忽略不计。分析了光照对77K温度下电子浓度和迁移率的影响,认为未知散射中心可能是样品微观不均匀性造成的空间电荷区。 |
语种 | 中文 |
公开日期 | 2012-03-29 |
内容类型 | 期刊论文 |
源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/106009] ![]() |
专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文(冶金所) |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 周炳林,陈正秀. 关于GaAs的低迁移率问题[J]. 物理学报,1985(04). |
APA | 周炳林,&陈正秀.(1985).关于GaAs的低迁移率问题.物理学报(04). |
MLA | 周炳林,et al."关于GaAs的低迁移率问题".物理学报 .04(1985). |
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