关于GaAs的低迁移率问题

	关于GaAs的低迁移率问题
	周炳林 ; 陈正秀
刊名	物理学报
	1985
期号	04
ISSN号	1000-3290
中文摘要	测量了5个不掺杂LPE-GaAs样品的电子迁移率温度关系,发现不同样品的诸曲线有互相交叉的现象,只用离化杂质散射一种非本征机制难于解释它。因此,假设未知散射中心(mobility killer)的存在看来是必要的。由于被研究的样品的纯度已相当高,Stringfellow等人所假设的杂质中心元胞势散射可以忽略不计。分析了光照对77K温度下电子浓度和迁移率的影响,认为未知散射中心可能是样品微观不均匀性造成的空间电荷区。
语种	中文
公开日期	2012-03-29
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/106009]
专题	上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文（冶金所）
推荐引用方式 GB/T 7714	周炳林,陈正秀. 关于GaAs的低迁移率问题[J]. 物理学报,1985(04).
APA	周炳林,&陈正秀.(1985).关于GaAs的低迁移率问题.物理学报(04).
MLA	周炳林,et al."关于GaAs的低迁移率问题".物理学报 .04(1985).