关于A15化合物低温电阻率的温度依赖性 | |
雷啸霖 | |
刊名 | 科学通报
![]() |
1981 | |
期号 | 20 |
ISSN号 | 0023-074X |
中文摘要 | <正> 一、引言 实验表明,在大约50K以下的温度范围,A15化合物Nb_3Sn,Nb_3Al和Nb_3Ge的正常态电阻率可以相当好地用ρ=ρ0+αT~2的规律描写;V_3Si的电阻率似乎比T~2增加得略快一些;Nb_3Sb的电阻率随T的增加比较快,不能用简单的方幂表达,但在15—25K之间接近T~(3.6);还有一些A15化合物,如Cr_3Si,低温电阻率显示了更快的变化。这些现象的解释目前还是一个有争议的问题。 |
语种 | 中文 |
公开日期 | 2012-03-29 |
内容类型 | 期刊论文 |
源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/106006] ![]() |
专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文(冶金所) |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 雷啸霖. 关于A15化合物低温电阻率的温度依赖性[J]. 科学通报,1981(20). |
APA | 雷啸霖.(1981).关于A15化合物低温电阻率的温度依赖性.科学通报(20). |
MLA | 雷啸霖."关于A15化合物低温电阻率的温度依赖性".科学通报 .20(1981). |
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