关于A15化合物低温电阻率的温度依赖性

	关于A15化合物低温电阻率的温度依赖性
	雷啸霖
刊名	科学通报
	1981
期号	20
ISSN号	0023-074X
中文摘要	<正> 一、引言实验表明,在大约50K以下的温度范围,A15化合物Nb_3Sn,Nb_3Al和Nb_3Ge的正常态电阻率可以相当好地用ρ=ρ0+αT~2的规律描写;V_3Si的电阻率似乎比T~2增加得略快一些;Nb_3Sb的电阻率随T的增加比较快,不能用简单的方幂表达,但在15—25K之间接近T~(3.6);还有一些A15化合物,如Cr_3Si,低温电阻率显示了更快的变化。这些现象的解释目前还是一个有争议的问题。
语种	中文
公开日期	2012-03-29
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/106006]
专题	上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文（冶金所）
推荐引用方式 GB/T 7714	雷啸霖. 关于A15化合物低温电阻率的温度依赖性[J]. 科学通报,1981(20).
APA	雷啸霖.(1981).关于A15化合物低温电阻率的温度依赖性.科学通报(20).
MLA	雷啸霖."关于A15化合物低温电阻率的温度依赖性".科学通报 .20(1981).