反应RF磁控溅射法制备非晶氧化硅薄膜及其特性研究

	反应RF磁控溅射法制备非晶氧化硅薄膜及其特性研究
	何乐年 ; 徐进 ; 王德苗
刊名	真空
	2001
期号	03
ISSN号	1002-0322
中文摘要	在氧气和氩气的混合气体中 ,在没有额外加热的条件下用反应射频 (RF)溅射硅靶制备了非晶氧化硅(a- Si O2 )薄膜 ,并测试分析了薄膜的结构和电特性与 O2 / Ar流量比的关系。当固定氩气流量 ,改变氧气流量时 ,薄膜沉积速率先急剧减少 ,再增大 ,然后又减少。当 O2 / Ar≥ 0 .0 75时 ,得到满足化学配比的氧化硅薄膜。并且 ,随着 O2 / Ar流量比的增大 ,薄膜的电阻、电场击穿强度都有所增大 ,而在 HF缓冲溶液 (BHF)中的腐蚀速率下降。所有的样品中无明显的 H- OH水分子
语种	中文
公开日期	2012-03-29
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/105812]
专题	上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文（冶金所）
推荐引用方式 GB/T 7714	何乐年,徐进,王德苗. 反应RF磁控溅射法制备非晶氧化硅薄膜及其特性研究[J]. 真空,2001(03).
APA	何乐年,徐进,&王德苗.(2001).反应RF磁控溅射法制备非晶氧化硅薄膜及其特性研究.真空(03).
MLA	何乐年,et al."反应RF磁控溅射法制备非晶氧化硅薄膜及其特性研究".真空 .03(2001).