多声子复合(MPR)对GaInAsP-InP激光器阈值的影响 | |
王德林 ; 屈积建 | |
刊名 | 半导体光电
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1983 | |
期号 | 01 |
ISSN号 | 1001-5868 |
中文摘要 | <正> 目前,对InGaAs-InP激光器阈值的温度灵敏性有各种解释。本文根据Ridley理论就上述课题提出一种新的解释。提出了MPR率R_p=B_pN_t的汁算,并且获得了MPR系数与温度的指数关系B_p=B_(po)(n+1)~Pexp(-2nH),式中N_t——深能级陷阱密度,n=[exp(hw/KT)_(-1]~(-1),P——多声子数,H——Wuang-Rhys系数。另一方面,俄歇复合系数A和辐射复合系数B几乎与300K的温度T无关。这表明MPR效应在较高温度下大于俄歇复合。使用这一模型能推出载 |
语种 | 中文 |
公开日期 | 2012-03-29 |
内容类型 | 期刊论文 |
源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/105777] ![]() |
专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文(冶金所) |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 王德林,屈积建. 多声子复合(MPR)对GaInAsP-InP激光器阈值的影响[J]. 半导体光电,1983(01). |
APA | 王德林,&屈积建.(1983).多声子复合(MPR)对GaInAsP-InP激光器阈值的影响.半导体光电(01). |
MLA | 王德林,et al."多声子复合(MPR)对GaInAsP-InP激光器阈值的影响".半导体光电 .01(1983). |
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