多声子复合(MPR)对GaInAsP-InP激光器阈值的影响

	多声子复合(MPR)对GaInAsP-InP激光器阈值的影响
	王德林 ; 屈积建
刊名	半导体光电
	1983
期号	01
ISSN号	1001-5868
中文摘要	<正> 目前,对InGaAs-InP激光器阈值的温度灵敏性有各种解释。本文根据Ridley理论就上述课题提出一种新的解释。提出了MPR率R_p=B_pN_t的汁算,并且获得了MPR系数与温度的指数关系B_p=B_(po)(n+1)~Pexp(-2nH),式中N_t——深能级陷阱密度,n=[exp(hw/KT)_(-1]~(-1),P——多声子数,H——Wuang-Rhys系数。另一方面,俄歇复合系数A和辐射复合系数B几乎与300K的温度T无关。这表明MPR效应在较高温度下大于俄歇复合。使用这一模型能推出载
语种	中文
公开日期	2012-03-29
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/105777]
专题	上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文（冶金所）
推荐引用方式 GB/T 7714	王德林,屈积建. 多声子复合(MPR)对GaInAsP-InP激光器阈值的影响[J]. 半导体光电,1983(01).
APA	王德林,&屈积建.(1983).多声子复合(MPR)对GaInAsP-InP激光器阈值的影响.半导体光电(01).
MLA	王德林,et al."多声子复合(MPR)对GaInAsP-InP激光器阈值的影响".半导体光电 .01(1983).