短沟道CMOS器件在液氮温区的特性比较与分析

	短沟道CMOS器件在液氮温区的特性比较与分析
	何晓阳 ; 朱荣锦 ; 许康
刊名	半导体技术
	1994
期号	02
ISSN号	1003353X
中文摘要	本文主要对两种不同的常规工艺条件下制备的短沟道ＣＭＯＳ器件在室温和液氮温区的场效应迁移率、跨导、亚阈和高频特性进行比较和分析，结果发现ＨＣＭＯＳⅡ型ＰＭＯＳ管在７７Ｋ下的工作特性比ＨＣＭＯＳⅠ型的好，而相应的ＮＭＯＳ管特性却变得很差，这主要是由于电离杂质散射增强的缘故。为此我们提出一种既适于室温工作又能在液氮温区充分发挥优点的新型短沟道ＣＭＯＳ器件。
语种	中文
公开日期	2012-03-29
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/105751]
专题	上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文（冶金所）
推荐引用方式 GB/T 7714	何晓阳,朱荣锦,许康. 短沟道CMOS器件在液氮温区的特性比较与分析[J]. 半导体技术,1994(02).
APA	何晓阳,朱荣锦,&许康.(1994).短沟道CMOS器件在液氮温区的特性比较与分析.半导体技术(02).
MLA	何晓阳,et al."短沟道CMOS器件在液氮温区的特性比较与分析".半导体技术 .02(1994).