电化学合成聚噻吩结构的光谱和电子能谱表征

	电化学合成聚噻吩结构的光谱和电子能谱表征
	林贤 ; 吴仲墀 ; 王辉 ; 金曼娜 ; 钱彭伟 ; 宗祥福
刊名	功能材料
	1993
期号	05
关键词	K1 导电高分子聚噻吩极化子双极化子
ISSN号	1001-9731
其他题名	T1 电化学合成聚噻吩结构的光谱和电子能谱表征
中文摘要	借助紫外-可见-近红外光谱,红外光谱,喇曼光谱等实验技术研究了电化学合成导电高分子聚噻吩(Polythiophene)材料在掺杂和非掺杂情况下的结构特征,说明了双极化子是这一类基态非简并的高分子的主要元激发。喇曼光谱和俄歇电子能谱还表征了掺杂离子在样品中的分布,掺杂离子处于高分子链的间隙中,且在深度分布上是均匀的。
语种	中文
公开日期	2012-03-29
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/105717]
专题	上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文（冶金所）
推荐引用方式 GB/T 7714	林贤,吴仲墀,王辉,等. 电化学合成聚噻吩结构的光谱和电子能谱表征[J]. 功能材料,1993(05).
APA	林贤,吴仲墀,王辉,金曼娜,钱彭伟,&宗祥福.(1993).电化学合成聚噻吩结构的光谱和电子能谱表征.功能材料(05).
MLA	林贤,et al."电化学合成聚噻吩结构的光谱和电子能谱表征".功能材料 .05(1993).