电化学C-V法测量亚微米GaAs外延层的参数

	电化学C-V法测量亚微米GaAs外延层的参数
	陈自姚 ; 邵永富 ; 彭瑞伍
刊名	稀有金属
	1981
期号	05
ISSN号	0258-7076
中文摘要	本文叙述了电化学C-V法测量SI-GaAs和n~+-GaAs衬底上的单层和双层外延层中的载流子浓度分布及其厚度。测量和讨论了亚微米有源层、单层和多层结构中的界面过渡区的特性。
语种	中文
公开日期	2012-03-29
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/105714]
专题	上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文（冶金所）
推荐引用方式 GB/T 7714	陈自姚,邵永富,彭瑞伍. 电化学C-V法测量亚微米GaAs外延层的参数[J]. 稀有金属,1981(05).
APA	陈自姚,邵永富,&彭瑞伍.(1981).电化学C-V法测量亚微米GaAs外延层的参数.稀有金属(05).
MLA	陈自姚,et al."电化学C-V法测量亚微米GaAs外延层的参数".稀有金属 .05(1981).