电化学C-V法测量亚微米GaAs外延层的参数 | |
陈自姚 ; 邵永富 ; 彭瑞伍 | |
刊名 | 稀有金属
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1981 | |
期号 | 05 |
ISSN号 | 0258-7076 |
中文摘要 | 本文叙述了电化学C-V法测量SI-GaAs和n~+-GaAs衬底上的单层和双层外延层中的载流子浓度分布及其厚度。测量和讨论了亚微米有源层、单层和多层结构中的界面过渡区的特性。 |
语种 | 中文 |
公开日期 | 2012-03-29 |
内容类型 | 期刊论文 |
源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/105714] ![]() |
专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文(冶金所) |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 陈自姚,邵永富,彭瑞伍. 电化学C-V法测量亚微米GaAs外延层的参数[J]. 稀有金属,1981(05). |
APA | 陈自姚,邵永富,&彭瑞伍.(1981).电化学C-V法测量亚微米GaAs外延层的参数.稀有金属(05). |
MLA | 陈自姚,et al."电化学C-V法测量亚微米GaAs外延层的参数".稀有金属 .05(1981). |
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