注S-SI GaAs晶体中的缺陷

	注S-SI GaAs晶体中的缺陷
	王绍渤 ; 吴瑞娣 ; 夏冠群
刊名	半导体学报
	1989
期号	05
ISSN号	0253-4177
中文摘要	对注S-SI GaAs单晶作光致发光测试,确定了两个缺陷能级.1.239eV峰可能是镓空位(V_(Ga))与S的络合物;1.408eV峰是由注S引起SI-GaAs衬底中残留杂质Si发生迁移,增加了Si受主(Si_(As))密度,部份Si_(As)与砷空位(V_(As))相互作用形成V_(As)-Si_(As)络合物而产生的.
公开日期	2012-03-29
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/105534]
专题	上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文（冶金所）
推荐引用方式 GB/T 7714	王绍渤,吴瑞娣,夏冠群. 注S-SI GaAs晶体中的缺陷[J]. 半导体学报,1989(05).
APA	王绍渤,吴瑞娣,&夏冠群.(1989).注S-SI GaAs晶体中的缺陷.半导体学报(05).
MLA	王绍渤,et al."注S-SI GaAs晶体中的缺陷".半导体学报 .05(1989).