质子浅轰击深度对条形双异质结构激光器(简为DHL)特性的影响

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	质子浅轰击深度对条形双异质结构激光器(简为DHL)特性的影响
	李光云 ; 李连生 ; 石华君 ; 邱建华 ; 唐秀花 ; 邬慧娟
刊名	半导体光电
	1981
期号	02
ISSN号	1001-5868
中文摘要	<正> DHL是用连续液相外延法在重掺杂n-_GaAs衬底上生长双异质结构外延层。在600℃下用ZnAs_2作源低温Zn扩散45分钟。用钨丝网掩蔽后,在150千电子伏的能量下,以1×101~(15)质子/厘米~2的剂量进行轰击。P面蒸发Cr-Au后再镀上～10μm的Au。衬底减薄后,在N面蒸发Au—Ge-Ni、450℃合金化一分半钟后再镀上～2μm的Au。管芯解理后,用In焊料倒装在镀Au的管壳铜柱上,DHL的条宽为12μm,腔长为300μm。各外延层组分和欧姆接触等细节列于表1。为了比较质子轰击深度对D
语种	中文
公开日期	2012-03-29
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/105513]
专题	上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文（冶金所）
推荐引用方式 GB/T 7714	李光云,李连生,石华君,等. 质子浅轰击深度对条形双异质结构激光器(简为DHL)特性的影响[J]. 半导体光电,1981(02).
APA	李光云,李连生,石华君,邱建华,唐秀花,&邬慧娟.(1981).质子浅轰击深度对条形双异质结构激光器(简为DHL)特性的影响.半导体光电(02).
MLA	李光云,et al."质子浅轰击深度对条形双异质结构激光器(简为DHL)特性的影响".半导体光电 .02(1981).