有源层掺杂剂对Ga_(1-x)Al_xAs/GaAs双异质结发光管特性的影响 | |
张桂成 ; 沈彭年 | |
刊名 | 发光学报
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1988 | |
期号 | 04 |
ISSN号 | 1000-7032 |
中文摘要 | 本文研究了由液相外延技术生长的GaAIAs/GaAs双异质结材料制成的发光管,有源层掺杂剂对器件特性的影响结果表明,器件结构和器件制作工艺相同的GaAIAs/GaAs发光管,有源层掺Si可获得较大的光输出功率,而频响特性<15MHz,波长在8700A以上;对有源层掺Ge器件,光输出功率低于掺Si器件,而频响特性则>15MHz,波长可控制在8200A~8500A.深能级测量表明二者有不同的深能级位置,对掺Si(氧沾污)器件,Ec—ET≈0.29eV,而掺Ge器件ET—Ev≈0.42eV.两种掺杂剂对有源层暗 |
语种 | 中文 |
公开日期 | 2012-03-29 |
内容类型 | 期刊论文 |
源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/105450] ![]() |
专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文(冶金所) |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 张桂成,沈彭年. 有源层掺杂剂对Ga_(1-x)Al_xAs/GaAs双异质结发光管特性的影响[J]. 发光学报,1988(04). |
APA | 张桂成,&沈彭年.(1988).有源层掺杂剂对Ga_(1-x)Al_xAs/GaAs双异质结发光管特性的影响.发光学报(04). |
MLA | 张桂成,et al."有源层掺杂剂对Ga_(1-x)Al_xAs/GaAs双异质结发光管特性的影响".发光学报 .04(1988). |
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