有源层掺杂剂对Ga_(1-x)Al_xAs/GaAs双异质结发光管特性的影响

	有源层掺杂剂对Ga_(1-x)Al_xAs/GaAs双异质结发光管特性的影响
	张桂成 ; 沈彭年
刊名	发光学报
	1988
期号	04
ISSN号	1000-7032
中文摘要	本文研究了由液相外延技术生长的GaAIAs/GaAs双异质结材料制成的发光管,有源层掺杂剂对器件特性的影响结果表明,器件结构和器件制作工艺相同的GaAIAs/GaAs发光管,有源层掺Si可获得较大的光输出功率,而频响特性<15MHz,波长在8700A以上;对有源层掺Ge器件,光输出功率低于掺Si器件,而频响特性则>15MHz,波长可控制在8200A～8500A.深能级测量表明二者有不同的深能级位置,对掺Si(氧沾污)器件,Ec—ET≈0.29eV,而掺Ge器件ET—Ev≈0.42eV.两种掺杂剂对有源层暗
语种	中文
公开日期	2012-03-29
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/105450]
专题	上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文（冶金所）
推荐引用方式 GB/T 7714	张桂成,沈彭年. 有源层掺杂剂对Ga_(1-x)Al_xAs/GaAs双异质结发光管特性的影响[J]. 发光学报,1988(04).
APA	张桂成,&沈彭年.(1988).有源层掺杂剂对Ga_(1-x)Al_xAs/GaAs双异质结发光管特性的影响.发光学报(04).
MLA	张桂成,et al."有源层掺杂剂对Ga_(1-x)Al_xAs/GaAs双异质结发光管特性的影响".发光学报 .04(1988).