用作磁泡存储器的Gd_3Ga_5O_(12)外延晶片的Nd:YAG激光划片

	用作磁泡存储器的Gd_3Ga_5O_(12)外延晶片的Nd:YAG激光划片
	陈文周 ; 林成鲁
刊名	激光与红外
	1985
期号	04
ISSN号	1001-5078
中文摘要	本文叙述了一种调Q脉冲Nd:YAG激光器对用作磁泡存储器的Gd_3Ga_5O_(12)外延晶片进行划片的方法。用这技术已获得了边缘平整和剖面光滑的划缝。实验得到划缝剖面参数与试样扫描速率、激光峰值功率、划片次数的关系。根据在圆柱状共焦腔中激光的振幅与强度的分布讨论了划缝周围激光束传播情况。
语种	中文
公开日期	2012-03-29
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/105439]
专题	上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文（冶金所）
推荐引用方式 GB/T 7714	陈文周,林成鲁. 用作磁泡存储器的Gd_3Ga_5O_(12)外延晶片的Nd:YAG激光划片[J]. 激光与红外,1985(04).
APA	陈文周,&林成鲁.(1985).用作磁泡存储器的Gd_3Ga_5O_(12)外延晶片的Nd:YAG激光划片.激光与红外(04).
MLA	陈文周,et al."用作磁泡存储器的Gd_3Ga_5O_(12)外延晶片的Nd:YAG激光划片".激光与红外 .04(1985).