用椭圆偏振光法四相模型研究Si SOI光学性质

	用椭圆偏振光法四相模型研究Si SOI光学性质
	朱蔚雯 ; 朱文玉 ; 王渭源
刊名	物理学报
	1986
期号	06
ISSN号	1000-3290
中文摘要	用椭圆偏振光谱仪在波长为3000到5000A范围内,测量了绝缘衬底上低压CVD生长的多晶Si薄膜(LPCVD Si SOI)及其激光退火和高频感应高温石墨棒热退火后的椭圆偏振光谱参数。以矩阵乘积形式表示了椭偏光谱四相模型,用Monte Carlo统计模拟法求得Si SOI表面多晶Si薄膜的光学参数ε_1和ε_2,并对退火后出Si SOI的晶格完整性进行了讨论。
语种	中文
公开日期	2012-03-29
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/105389]
专题	上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文（冶金所）
推荐引用方式 GB/T 7714	朱蔚雯,朱文玉,王渭源. 用椭圆偏振光法四相模型研究Si SOI光学性质[J]. 物理学报,1986(06).
APA	朱蔚雯,朱文玉,&王渭源.(1986).用椭圆偏振光法四相模型研究Si SOI光学性质.物理学报(06).
MLA	朱蔚雯,et al."用椭圆偏振光法四相模型研究Si SOI光学性质".物理学报 .06(1986).