氧注入损伤对6HSiC光学性质的影响

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	氧注入损伤对6HSiC光学性质的影响
	王连卫 ; 黄继颇 ; 林成鲁 ; 郑玉祥
刊名	功能材料与器件学报
	1999
期号	03
ISSN号	1007-4252
中文摘要	ＳｉＣ是一种重要的宽禁带半导体材料，在高温、高压、高功率及高频器件方面有重要的应用前景。ＳｉＣ中的离子注入无论在基础研究还是在器件工艺中都具有重要的意义。本文研究了ＳｉＣ的注入（７０ｋｅＶ，剂量５ ×１０１３至５ ×１０１５ｃｍ－２）损伤及其对ＳｉＣ光学性质的影响。研究表明，ＳｉＣ的表面形貌对离子注入极其敏感。剂量较低时，主要影响晶格缺陷吸收及杂质吸收（＜２．９ｅＶ），而在剂量较高时，对带间跃迁产生影响。ＳｉＣ是一种重要的宽禁带半导体材料，在高温、高压、高功率及高频器件方面有重要的应用前景。Ｓ
语种	中文
公开日期	2012-03-29
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/105201]
专题	上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文（冶金所）
推荐引用方式 GB/T 7714	王连卫,黄继颇,林成鲁,等. 氧注入损伤对6HSiC光学性质的影响[J]. 功能材料与器件学报,1999(03).
APA	王连卫,黄继颇,林成鲁,&郑玉祥.(1999).氧注入损伤对6HSiC光学性质的影响.功能材料与器件学报(03).
MLA	王连卫,et al."氧注入损伤对6HSiC光学性质的影响".功能材料与器件学报 .03(1999).